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6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1513NT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 400 - 470 MHz
440 MHz
041
2
3
5
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
50
0
70
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
30
60
40
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 13. Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
13
12
16
Figure 14. Drain Efficiency versus Output
Power
2
GAIN (dB)
0
Figure 15. Output Power versus
Biasing Current
6
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
1
Figure 16. Drain Efficiency versus
Biasing Current
70
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
45
Figure 17. Output Power versus
Supply Voltage
0
8
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 18. Drain Efficiency versus
Supply Voltage
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
30
20
91610 14 1511
91011 1612
13 14
15
12
8
0
60
70
60
440 MHz
100 600200
300
400
500
0
5
80
2
3
14
18
50
400 MHz
5
15
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
200 600300
400
500
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
13
3
1
65
470 MHz
55
1
3
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
400 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 18.7 dBm
Pin
= 18.7 dBm
IDQ
= 50 mA
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 18.7 dBm
Pin
= 18.7 dBm
IDQ
= 50 mA
17
20
10
5
4
40
2
4
50
40
VDD
= 12.5 Vdc
VDD
= 12.5 Vdc
4
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